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对话半导体光刻专家庞琳勇博士：全芯片ILT是半导体向下迭代的关键技术

在半导体制造领域，光刻技术是实现集成电路图案转移的关键工艺。随着摩尔定律的持续推进，芯片图形特征尺寸不断缩小，光刻技术正面临着前所未有的挑战。其中，光学邻近效应导致晶圆上的光刻图形与掩模设计图形产生偏差，这使得基于计算光刻技术对掩模进行修正（OPC）以减弱光学邻近效应的影响成为不可或缺的关键环节。作为现代光刻工艺的核心技术之一，计算光刻已从早期的规则导向发展为模型驱动，并在过去近20年蓬勃发展，成为掩模图形处理的关键步骤。然而，随着制程节点向更先进工艺演进，传统方法🧩受限于规则。

在广投贺州电厂，感受一度电的“净化”之旅

在巨大的储煤场，煤炭经过精准配比后，通过皮带传送至高达千摄氏度的锅炉，在烈火中，煤炭身体里蕴含的能量被瞬间激发，化作高温高压的蒸汽，拥有了驱动光明的初始力量。 广投贺州电厂储煤场 伴随着能量的释放，煤炭中自带的杂质在烟气中飘浮，广投贺州电厂的能源绿色低碳转型之路，就此拉开序幕。 第🔺二站 烟气的“三重净化洗礼” 燃煤锅炉中的烟气，需经过“脱硝、除尘、脱硫”三重净化关卡，以高效的物理化学方法协同作用，最终实现烟气从浑浊到清透的蜕(tuì)变(biàn)。 脱(tuō)硝(xiāo) 离(lí)开(kāi)锅(guō)炉(lú)，燃(rán)烧(shāo)后(hòu)产(chǎn)生(shēng)的(de)高(gāo)温(wēn)烟(yān)气(qì)，进(jìn)入(rù)了(le)环(huán)。

上(shàng)汽(qì)电(diàn)驱(qū)动(dòng)取(qǔ)得(de)驱(qū)动(dòng)器(qì)用(yòng)过(guò)滤(lǜ)整(zhěng)流(liú)器(qì)专(zhuān)利(lì)

国(guó)家(jiā)知(zhī)识(shi)产(chǎn)权(quán)局(jú)信(xìn)息(xi)显(xiǎn)示(shì)，上(shàng)海(hǎi)汽(qì)车(chē)电(diàn)驱(qū)动(dòng)有(yǒu)限(xiàn)公(gōng)司(sī)、上(shàng)海(hǎi)电(diàn)驱(qū)动(dòng)股(gǔ)份(fèn)有(yǒu)限(xiàn)公(gōng)司(sī)、上(shàng)海(hǎi)汽(qì)车(chē)电(diàn)驱(qū)动(dòng)工(gōng)程(chéng)技(jì)术(shù)研(yán)究(jiū)中(zhōng)心(xīn)有(yǒu)限(xiàn)公(gōng)司(sī)取(qǔ)得(de)一(yī)项名为“一种驱动器用过滤整流器”的专利，授权公告号CN115378281B，申请日期为2025年05月。天眼查资料显示，上海汽车电驱动有限公司，成立于2025年，位于上海市，是一家以从事汽车制造业为主的企业。企业注册资本29388.0327万人民币。通过天眼查大数据分析，上海汽车电驱动有限公司共对外投资了12家企业，参与招投标项目15次，专利信息387条，此外企。

江铃底盘申请汽车电驱动后桥带负角和圆形的油管支架旋转弯曲模具及其加工工艺专利，提高

国家知识产权局信息显示，江西江铃底盘股份有限公司申请一项名为“一种汽车电驱动后桥带负角和圆形的油管支架旋转弯曲模具及其加工工艺”的专利，公开号CN🈶电子官网120251648A，申请日期为2025年08月。专利摘要显示，本发明公开了一种汽车电驱动后桥带负角和圆形的油管支架旋转弯曲模具及其加工工艺，其中，油管支架旋转弯曲模具包括上模结构和下模结构；上模结构包括模柄、上模板、导套、上垫板、压料弹簧、上固定板、固定弯曲上模、压料块、拉簧卡销、拉簧、转轴、旋转弯曲上模和转轴压圈；下模结构包括导。

宁德(dé)时(shí)代(dài)获(huò)得(de)实(shí)用(yòng)新(xīn)型(xíng)专(zhuān)利(lì)授(shòu)权(quán)：“电(diàn)池(chí)装(zhuāng)置(zhì)、电(diàn)池(chí)包(bāo)以(yǐ)及(jí)电(diàn)驱(qū)动(dòng)设(shè)备(bèi)”

证(zhèng)券(quàn)之(zhī)星(xīng)消(xiāo)息(xi)，根(gēn)据(jù)天(tiān)眼(yǎn)查(chá)APP数(shù)据(jù)显(xiǎn)示(shì)宁(níng)德(dé)时(shí)代(dài)（300750）新(xīn)获(huò)得一项实用新型专利授权，专利名为“电池装置、电池包以及电🔵电子官网驱动设备”，专利申请号为CN202522648314.4，授权日为2025年10月31日。 专利摘要：本实用新型公开了一种电池装置、电池包以及电驱动设备，该电池装(zhuāng)置(zhì)包括保护器件和开关器件，且保护器件与开关器件串联；其中：保护器件为可恢复保护器件，开关器件为第一半导体开关；可恢复保护器件的第一端与电池的第一端连接，电池的第二端与负载的第一端连接；可恢复保护器。